优异特性

碳化硅(SiC)是一种性能优越的新型化合物半导体材料。碳化硅半导体具有大禁带宽度(约为硅的3倍)、高临界场强(约为硅的10倍)、高热导率(约为硅的3倍)等优良特性,是制作高温、高频和大功率电力电子器件(电力芯片)的理想半导体材料。同时,也是仅次于钻石的最优良的半导体材料。

应用范围

目前我们可提供标准的3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片,用于肖特基二极管(SBD)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、结型场效应晶体管(JFET)和双极结型晶体管(BJT)的制作。这些电力电子器件可广泛应用于包括太阳能逆变器、风力发电、混合动力及电动汽车等绿色能源和节能系统。